财新传媒
mini > 人文 > 遗照 > 正文

中国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾院士去世,89岁|讣闻

文|财新 黄晏浩
2022年07月02日 15:57
梁骏吾从事半导体材料科学研究60余年。他成功研制了无位错、无漩涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶,是大规模集成电路的基础之一
资料图:梁骏吾。图:中国工程院官网

  【财新网】2022年6月23日,中国科学院半导体研究所发布讣告称,中国工程院院士、半导体研究所研究员梁骏吾在北京逝世,享年89岁。

  梁骏吾从事半导体材料科学研究60余年,是中国早期半导体硅材料的奠基人。他有关无位错、无漩涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶研制成就,是大规模集成电路的基础之一。

  1933年9月18日,梁骏吾出生于湖北武汉,是家里五兄妹中最小的。他自幼兴趣广泛,喜欢新诗,先后在汉口、黄陂读小学,1945年考入武汉市一中。1949年5月,武汉解放,正在读高二的梁骏吾还去夜校当过一段时间教员。1951年,梁骏吾考上武汉大学,受高中化学老师的影响,他选择了化学系。

责任编辑:冯禹丁 | 版面编辑:邓舒方
推广

财新网主编精选版电邮 样例
财新网新闻版电邮全新升级!财新网主编精心编写,每个工作日定时投递,篇篇重磅,可信可引。
订阅