“闪存之父”施敏87岁去世 移动电子设备因他成为可能｜讣闻

　　【财新网】2023年11月6日，中国工程院外籍院士、被誉为“闪存之父”的施敏逝世，享年87岁。

　　施敏发现了浮栅存储（FGM）效应，制造出了世界上第一个浮动栅非易失性存储器件。后者成为当今消费电子产品中使用的关键元件之一，也是半导体技术的重大突破之一。

　　“学半导体的，没有人不知道他。”一名毕业于复旦大学微电子学院的半导体工程师这样形容施敏，“今天我们能用得到的电脑和手机上的一切存储器，包括熟悉的内存、闪存等各类功能，都有他的功劳。”