【财新网】2022年6月23日,中国科学院半导体研究所发布讣告称,中国工程院院士、半导体研究所研究员梁骏吾在北京逝世,享年89岁。
梁骏吾从事半导体材料科学研究60余年,是中国早期半导体硅材料的奠基人。他有关无位错、无漩涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶研制成就,是大规模集成电路的基础之一。
1933年9月18日,梁骏吾出生于湖北武汉,是家里五兄妹中最小的。他自幼兴趣广泛,喜欢新诗,先后在汉口、黄陂读小学,1945年考入武汉市一中。1949年5月,武汉解放,正在读高二的梁骏吾还去夜校当过一段时间教员。1951年,梁骏吾考上武汉大学,受高中化学老师的影响,他选择了化学系。